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FAI 微光發(fā)射顯微鏡(EMMI)
FAI Photo Emmission Microscope

 


 

 

 

 

FAI Crystal Vision 微光發(fā)射顯微鏡

FAI 微光發(fā)射顯微鏡用于檢測半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來準(zhǔn)確定位半導(dǎo)體器件的失效位置。通過使用不同類型的探測器,或者配置雙激光掃描系統(tǒng)(SIFT),以及配合相應(yīng)的檢測軟件來實現(xiàn)對半導(dǎo)體元器件或芯片電路的微光、微熱、光激勵誘導(dǎo)失效測試等各種分析手段。

FAI的Crystal Vision微光發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)對所配置探測器的數(shù)量沒有限制,可選擇配置從一個到我們提供的所有型號的探測器和SIFT激光掃描頭。

主要功能:

CCD探測器:波長探測范圍 365nm 至 1190nm;帶電子半導(dǎo)體制冷器(TEC)的CCD探測器,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下,無需使用危險的液氮制冷劑;CCD解析度為1280x1024;像素暗電流<0.002 電子/秒;讀噪聲<7 個電子;連續(xù)收集信號時間從32毫秒至2小時。

InGaAs探測器:波長探測范圍 900nm – 1750nm;帶電子半導(dǎo)體制冷器(TEC)的InGaAs探測器,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下,無需使用危險的液氮制冷劑; InGaAs探測器分辨率為320x240,像素點尺寸為30 x 30um,更大的像素點面積可以收集更少的光子,探測靈敏度是普通640x480 InGaAs探測器的4倍;連續(xù)收集信號時間從1微秒到60分鐘;有效波段范圍內(nèi)量子效率(QE)為 80-85%;靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec;量子效率>70 QE 在950-1700nm范圍內(nèi)。

VisGaAs 探測器:波長探測范圍 500nm – 1800nm,代表了新技術(shù)的VisGaAs 探測器覆蓋了可見光-紅外光波長檢測范圍,一個探頭就可替代傳統(tǒng)的CCD和InGaAs 兩個探測器;半導(dǎo)體制冷器(TEC) ,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下。

SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)雙波長激光掃描頭:雙激光源654nm和1428nm;通過激光掃描芯片電路,導(dǎo)致失效位置電阻發(fā)生變化,通過檢測反饋信號的變化,從而檢測到失效位置;SIFT掃描不受物鏡視野限制,可以一次掃描完整整個檢測區(qū)域,無需圖像拼接,避免圖像扭曲;FAI的恒定電流附加反饋回路的技術(shù),不但提高了檢測靈敏度,而且避免了檢測時電壓過高的風(fēng)險;恒定焦距的定鏡掃描,可以將激光點停留在任意指定位置,用于確認(rèn)失效點。

FMI熒光熱成像技術(shù):FAI的微熱分析技術(shù),熱分辨率是千分之一K(1/1000K),可以室溫操作,無需使用危險的液晶溶液。

LC液晶熱成像技術(shù):FAI的SLC(穩(wěn)定液晶)液晶熱成像技術(shù)的熱分辨率為百分之一K (1/100 K)。

Moire云紋成像:從硅片背面采用“云紋圖像成像”的方式來檢測失效位置的微熱變化。


 

 

 

 
   
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